Atnaujinkite slapukų nuostatas

El. knyga: Semiconductor Physics: An Introduction

  • Formatas: PDF+DRM
  • Serija: Advanced Texts in Physics
  • Išleidimo metai: 29-Jun-2013
  • Leidėjas: Springer Berlin Heidelberg
  • Kalba: eng
  • ISBN-13: 9783662050255
Kitos knygos pagal šią temą:
Semiconductor Physics: An Introduction
  • Formatas: PDF+DRM
  • Serija: Advanced Texts in Physics
  • Išleidimo metai: 29-Jun-2013
  • Leidėjas: Springer Berlin Heidelberg
  • Kalba: eng
  • ISBN-13: 9783662050255
Kitos knygos pagal šią temą:

DRM apribojimai

  • Kopijuoti:

    neleidžiama

  • Spausdinti:

    neleidžiama

  • El. knygos naudojimas:

    Skaitmeninių teisių valdymas (DRM)
    Leidykla pateikė šią knygą šifruota forma, o tai reiškia, kad norint ją atrakinti ir perskaityti reikia įdiegti nemokamą programinę įrangą. Norint skaityti šią el. knygą, turite susikurti Adobe ID . Daugiau informacijos  čia. El. knygą galima atsisiųsti į 6 įrenginius (vienas vartotojas su tuo pačiu Adobe ID).

    Reikalinga programinė įranga
    Norint skaityti šią el. knygą mobiliajame įrenginyje (telefone ar planšetiniame kompiuteryje), turite įdiegti šią nemokamą programėlę: PocketBook Reader (iOS / Android)

    Norint skaityti šią el. knygą asmeniniame arba „Mac“ kompiuteryje, Jums reikalinga  Adobe Digital Editions “ (tai nemokama programa, specialiai sukurta el. knygoms. Tai nėra tas pats, kas „Adobe Reader“, kurią tikriausiai jau turite savo kompiuteryje.)

    Negalite skaityti šios el. knygos naudodami „Amazon Kindle“.

This book, now in its eighth edition, still has the character of a textbook with the emphasis on "e;Physics"e;. I have refrained from sacrificing topics such as the Seebeck, Thomson, Peltier and quantum Hall effects although they do not have a large-scale practical application. The various kinds of field effect transistors such as HBT, HEMT, MODFET and the chip technology have not been considered because going into details would necessarily end up with referring the interested reader to commercially available computer programs, i.e. to the Big Business world. What is new compared with the previous edition? In Chap. 1 you will now find a short description of production processes of pure single crystal silicon which is nearly free of lattice defects. In Sect. 4.14 the calculation of current in a sample subject to combined de and high-frequency ac fields is based on quantum mechanics rather than classical physics (called "e;photon assisted tunneling"e;). The calculation is applied to charge transport in quantum wires and dots in Chap.14. This chapter includes production methods for quantum dots in their regular arrangement and a dot laser which operates at room temperature. In Chap. 15 there is a new section on doped Fullerenes in view of a field effect transistor based on this material. There are two more appendices: One provides a calculation of the potentials in quantum wells, and the other is a table of 38 semiconductors and semimetals with their characteristic data.