Atnaujinkite slapukų nuostatas

El. knyga: Silicon Quantum Integrated Circuits: Silicon-Germanium Heterostructure Devices: Basics and Realisations

  • Formatas: PDF+DRM
  • Serija: NanoScience and Technology
  • Išleidimo metai: 11-Dec-2005
  • Leidėjas: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
  • Kalba: eng
  • ISBN-13: 9783540263821
  • Formatas: PDF+DRM
  • Serija: NanoScience and Technology
  • Išleidimo metai: 11-Dec-2005
  • Leidėjas: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. K
  • Kalba: eng
  • ISBN-13: 9783540263821

DRM apribojimai

  • Kopijuoti:

    neleidžiama

  • Spausdinti:

    neleidžiama

  • El. knygos naudojimas:

    Skaitmeninių teisių valdymas (DRM)
    Leidykla pateikė šią knygą šifruota forma, o tai reiškia, kad norint ją atrakinti ir perskaityti reikia įdiegti nemokamą programinę įrangą. Norint skaityti šią el. knygą, turite susikurti Adobe ID . Daugiau informacijos  čia. El. knygą galima atsisiųsti į 6 įrenginius (vienas vartotojas su tuo pačiu Adobe ID).

    Reikalinga programinė įranga
    Norint skaityti šią el. knygą mobiliajame įrenginyje (telefone ar planšetiniame kompiuteryje), turite įdiegti šią nemokamą programėlę: PocketBook Reader (iOS / Android)

    Norint skaityti šią el. knygą asmeniniame arba „Mac“ kompiuteryje, Jums reikalinga  Adobe Digital Editions “ (tai nemokama programa, specialiai sukurta el. knygoms. Tai nėra tas pats, kas „Adobe Reader“, kurią tikriausiai jau turite savo kompiuteryje.)

    Negalite skaityti šios el. knygos naudodami „Amazon Kindle“.

Quantum size effects are becoming increasingly important in microelectronics, as the dimensions of the structures shrink laterally towards 100 nm and vertically towards 10 nm. Advanced device concepts will exploit these effects for integrated circuits with novel or improved properties. Keeping in mind the trend towards systems on chip, this book deals with silicon-based quantum devices and focuses on room-temperature operation. The basic physical principles, materials, technological aspects, and fundamental device operation are discussed in an interdisciplinary manner. It is shown that silicon-germanium (SiGe) heterostructure devices will play a key role in realizing silicon-based quantum electronics.

Material Science.- Resumé of Semiconductor Physics.- Realisation of
Potential Barriers.- Electronic Device Principles.- Heterostructure Bipolar
Transistors - HBTs.- Hetero Field Effect Transistors (HFETs).- Tunneling
Phenomena.- Optoelectronics.- Integration.- Outlook.